N=60f/p(r/min) （1）

式中：f—三相交流电源频率，一般为50Hz；p—磁极对数。当p=1时，N=3000r/min；p=2时，N=1500r/min。可见磁极对数p越多，转速N越慢。

转子的实际转速n比磁场的同步转速N要慢一点，所以称为异步电机，这个差别用转差率s表示：

s=[n1－n）/n1]×100%  （2）

当加上电源转子尚未转动瞬间，n=0，这时s=1；起动后的极端情况n=N，则s=0，即s在0～1之间变化。一般异步电机在额定负载下的s=（1～6）%。

综合式（1）和式（2）可以得出

n=60f（1－s）/p  （3）

图1 三相异步电动机结构示意图

1—机座；2—定子铁心；3—定子绕组；4—转子铁心；5—转子绕组

图2笼型电动机的转子绕组

1—铜环；2—铜条

由式（3）可以看出，对于成品电机，其磁极对数p已经确定，转差率s变化不大，则电机的转速n与电源频率f成正比，因此改变输入电源的频率就可以改变电机的同步转速，进而达到异步电机调速的目的。

但是，为了保持在调速时电机的***大转矩不变，必须维持电机的磁通量恒定，因此定子的供电电压也要作相应调节。变频器就是在调整频率（VariableFrequency）的同时还要调整电压（VariableVoltage），故简称VVVF（装置）。通过电工理论分析可知，转矩与磁通量（***大值）成正比，在转子参数值一定时，转矩与电源电压的平方成正比。

变频器的工作原理是把市电（380V、50Hz）通过整流器变成平滑直流，然后利用半导体器件（GTO、GTR或IGBT）组成的三相逆变器，将直流电变成可变电压和可变频率的交流电，由于采用微处理器编程的正弦脉宽调制（SPWM）方法，使输出波形近似正弦波，用于驱动异步电机，实现无级调速。上述的两次变换可简化为AC－DC－AC（交－直－交）变频方式。
      二、变频器的基本控制回路         （ABB变频器ACS510系列产品）

同外部进行信号交流的基本回路有模拟与数字两种：

1、4~20mA电流信号回路（模拟）；1~5V/0~5V电压信号回路（模拟）。

2、开关信号回路，变频器的开停指令、正反转指令等（数字）。

外部控制指令信号通过上述基本回路导入变频器，同时干扰源也在其回路上产生干扰电势，以控制电缆为媒体入侵变频器。

三、变频器功率开关器件的种类         （ABB变频器ACS880系列产品）

在GTO的基础上，近年开发出一种门极换流晶闸管（GCT），它采用了一些新技术，如：穿透型阳极，使电荷存储时间和拖尾电流减小，制约了二次击穿，可无缓冲器运行；加N缓冲层，使硅片厚度以及通态损耗和开关损耗减少；特殊的环状门极，使器件开通时间缩短且串、并联容易。因此，GCT除有GTO高电压、大电流、低导通压降的优点，又改善了其开通和关断性能，使工作频率有所提高。

为了尽快（例如1μs内）将器件关断，要求在门极PN不致击穿的－20V下能获得快于4000A/μs的变化率，以使阳极电流全部经门极极快泄流（即关断增益为1），必须采用低电感触发电路（例如门极电路***大电?lt;5nH）。为此，将这种门极电路配以MOSFET强驱动与GCT功率组件集成在一起，构成集成门极换流晶闸管（IGCT）。其改进形式之一则称为对称门极换流晶闸管（SGCT）。两者具有相似的特性。IGCT还可将续流二极管做在同一芯片上集成逆导型，可使装置中器件数量减少。

表1为GTO、IGCT、IGBT一些能数的比较。可以看出，在1kHz以下，IGCT有一定优点；在较高工作频率下，高压IGBT更具优势。

表1 GTO、IGCT、IGBT参数比较

除上述三种器件外，现在还在开发一些新器件，例如新型大功率IGBT模块——“注入增强栅极晶体管”（IEGT），它兼有IGBT和GTO二者优点，即开关特性相当于IGBT，工作频率高，栅极驱动功率小（比GTO小二个数量级）；而由于电子发射区注入增强，使器件的饱和压降进一步减小；功率相同时，缓冲电路的容量为GTO的1/10，安全工作区宽。现已有4.5kV/1kA的器件，可望在高频下获得应用。

四、其它注意事项

1、装有变频器的控制柜，应尽量远离大容量变压器和电动机。其控制电缆线路也应避开这些漏磁通大的设备。

2、弱电压电流控制电缆不要接近易产生电弧的断路器和接触器。

3、控制电缆建议采用1.25mm2或2mm2屏蔽绞合绝缘电缆。

4、屏蔽电缆的屏蔽要连续到电缆导体同样长。电缆在端子箱中连接时，屏蔽端子要互相连接。

 （本文摘自网络，若您还想了解更多ABB变频器产品，请咨询刘工电话：16621635582，欢迎前来咨询合作！）